¿Qué es enmos?

Un microsensor de campo eléctrico diferencial de tipo N para pruebas de campo eléctrico, caracterizado por consistir en un sensor de campo eléctrico de canal N (ENMOS1), un transistor semiconductor de óxido metálico de agotamiento de canal N (ENMOS'2) y un sensor de óxido metálico de tipo P. Semiconductor El espejo de corriente del transistor está compuesto por un transistor semiconductor de óxido metálico de tipo N (NMOS5). El espejo de corriente del transistor semiconductor de óxido metálico tipo P consta de dos transistores semiconductores de óxido metálico tipo P (PMOS3 y PMOS4), cuya fuente está conectada a la fuente de alimentación (Vdd) y cuya puerta está interconectada y conectada a uno de los transistores semiconductores de óxido metálico tipo P. Transistores semiconductores de óxido metálico El drenaje del transistor semiconductor (PMOS3) está conectado y el drenaje del transistor semiconductor de óxido metálico tipo P (PMOS3) está conectado al drenaje del sensor de campo eléctrico de canal N (ENMOS1). El drenaje del otro transistor MOS tipo P (PMOS4) está conectado al drenaje del transistor MOS de agotamiento del canal N (ENMOS'2), y este nodo se utiliza como terminal de salida (Vout). La fuente del sensor de campo eléctrico de canal N (ENMOS1) está conectada a la fuente del transistor MOS en modo de agotamiento de canal N (ENMOS'2) y al drenaje del transistor MOS de tipo N (NMOS5). La fuente del transistor semiconductor de óxido metálico tipo N (NMOS5) está conectada a tierra (Vss) y la puerta del transistor semiconductor de óxido metálico tipo N (NMOS5) está conectada al voltaje de polarización (Vb).

Este producto fue patentado en 2005.

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