¿Qué significa MB en computadora?
Memoria FPM
FPM es la abreviatura de Fast Page Mode y es una memoria comúnmente utilizada en las primeras computadoras personales. Transfiere datos cada tres ciclos de reloj. ha sido eliminado.
Salida de datos extendida
EDO es la abreviatura de Salida de datos extendida. Cancela el intervalo de tiempo entre los dos ciclos de almacenamiento de la placa base y la memoria, transmite datos cada dos ciclos de reloj, acorta en gran medida el tiempo de acceso y aumenta la velocidad de acceso de 30 a 60 ns. La memoria EDO se utiliza principalmente para módulos de memoria SIMM de 72 líneas y tarjetas gráficas PCI con módulos de memoria EDO. Esta memoria era popular en 486 y en los primeros sistemas informáticos Pentium. Dividido en 72 líneas y 168 líneas. Opera a 5V y tiene un ancho de banda de 32 bits. Debe usarse en pares de dos o cuatro filas. Se puede utilizar en placas base con chipset Intel 430FX/430VX o incluso 430TX. También se ha eliminado y sólo se puede ver en algunas máquinas antiguas.
Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona
SDRAM es la abreviatura de memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona), que es una forma de memoria que se ha utilizado ampliamente en el últimos años. SDRAM utiliza un voltaje operativo de 3,3v y un ancho de banda de 64 bits. SDRAM bloquea la CPU y la RAM juntas a través del mismo reloj, lo que permite que la RAM y la CPU disfruten de un ciclo de reloj y funcionen sincrónicamente a la misma velocidad, que puede ser 50 veces más rápida que la memoria EDO. La SDRAM se basa en una estructura de banco de memoria dual y contiene dos matrices de memoria entrelazadas. Mientras la CPU accede a los datos de un banco o matriz de memoria, otro está listo para leer y escribir datos. Al intercambiar estrechamente las dos matrices de memoria, se puede duplicar la eficiencia de lectura. La SDRAM no sólo sirve como memoria principal, sino que también se utiliza ampliamente en la memoria de vídeo de las tarjetas gráficas. La SDRAM solía ser la memoria principal utilizada durante mucho tiempo, compatible con el chipset 430TX y el chipset 845. Sin embargo, con la popularidad de DDR SDRAM, SDRAM se está retirando gradualmente del mercado principal.
Memoria RDRAM
RDRAM es la abreviatura de memoria dinámica de acceso aleatorio Rambus. Es una memoria desarrollada por Rambus Company con ancho de banda del sistema y diseño de interfaz entre chips. Puede transmitir datos a través de un bus simple en un rango de frecuencia muy alto mientras utiliza señales de bajo voltaje en ambos bordes de un pulso de reloj sincronizado de alta velocidad. Al principio, el chipset Intel 820 admitía RDRAM, y luego hubo 840, 850 chipsets, etc. Inicialmente, Intel apoyó firmemente la RDRAM, pero debido a su alto precio y las restricciones de licencia de patentes de Rambus, no se ha convertido en la corriente principal del mercado. Su posición fue rápidamente reemplazada por la relativamente barata e igualmente excelente DDR SDRAM, y su participación de mercado fue reducida. muy pequeño.
Memoria DDR SDRAM
Definición de DDR2:
DDR2 (Double Data Rate 2) SDRAM es una nueva tecnología desarrollada por JEDEC (Joint Electronic Equipment Engineering Council) Una generación de estándares de tecnología de memoria. La mayor diferencia entre DDR2 y la generación anterior de estándares de tecnología de memoria es que, aunque el método básico de transmisión de datos se adopta con retrasos de subida/bajada del reloj, la capacidad de lectura anticipada de la memoria DDR2 es el doble que la de la generación anterior de memoria DDR ( es decir, lectura y captación previa de datos de 4 a 4 bits). En otras palabras, la memoria DDR2 puede leer/escribir datos a 4 veces la velocidad del bus externo y funcionar a 4 veces la velocidad del bus de control interno.
La diferencia entre DDR2 y DDR:
1. Problema de latencia:
Como se puede ver en la tabla anterior, a la misma frecuencia central, la real funcionamiento de DDR2 La frecuencia es el doble que la de DDR.
Esto se debe a que la capacidad de lectura anticipada de 4 a 4 bits de la memoria DDR2 es el doble que la de la memoria DDR estándar. En otras palabras, aunque DDR2, al igual que DDR, utiliza el método básico de retrasos en la subida y bajada del reloj para transmitir datos simultáneamente, DDR2 tiene el doble de capacidad para leer los datos de los comandos del sistema por adelantado. En otras palabras, a la misma frecuencia operativa de 100MHz, la frecuencia real de DDR es de 200MHz, mientras que DDR2 puede alcanzar los 400MHz.
Surge entonces otro problema: en las memorias DDR y DDR2 con la misma frecuencia de funcionamiento, la latencia de almacenamiento de estas últimas es más lenta que la de las primeras. Por ejemplo, DDR 200 y DDR2-400 tienen la misma latencia, mientras que este último tiene el doble de ancho de banda. De hecho, el ancho de banda de DDR2-400 y DDR400 es el mismo, 3,2 GB/s, pero la frecuencia operativa central de DDR400 es de 200 MHz, mientras que la frecuencia operativa central de DDR2-400 es de 100 MHz, lo que significa que el retraso de DDR2- 400 es superior a DDR400.
2. Embalaje y poder calorífico:
El mayor avance en la tecnología de memoria DDR2 no es la capacidad de transmisión que los usuarios creen que es el doble que la DDR, sino la menor generación de calor y la mayor potencia. En condiciones bajas, DDR2 puede lograr aumentos de frecuencia más rápidos, superando el límite de 400 MHZ del DDR estándar.
La memoria DDR suele estar empaquetada en chips TSOP y puede funcionar bien a 200 MHz. Cuando la frecuencia es alta, sus pines largos producirán alta impedancia y capacitancia parásita, afectando su estabilidad y dificultad para aumentar la frecuencia. Esta es también la razón por la que es difícil que la frecuencia del núcleo DDR supere los 275 MHZ. La memoria DDR2 está empaquetada en FBGA. A diferencia del paquete TSOP actualmente ampliamente utilizado, el paquete FBGA proporciona un mejor rendimiento eléctrico y disipación de calor, lo que proporciona una buena garantía para el funcionamiento estable de la memoria DDR2 y el futuro desarrollo de frecuencia.
El voltaje de la memoria DDR2 es de 1,8V, que es muy inferior a los 2,5V del estándar DDR, proporcionando así un consumo de energía y una generación de calor significativamente menores. Este cambio es significativo.
Nuevas tecnologías adoptadas por DDR2:
Además de las diferencias anteriores, DDR2 también introduce tres nuevas tecnologías, a saber, OCD, ODT y Post CAS.
OCD (controlador fuera del chip): el llamado ajuste del controlador fuera de línea, DDR II puede mejorar la integridad de la señal a través de OCD. DDR II iguala los dos voltajes ajustando los valores de resistencia pull-up/pull-down. OCD se utiliza para mejorar la integridad de la señal al reducir el ángulo de inclinación del DQ-DQS; mejorar la calidad de la señal al controlar el voltaje.
ODT: ODT es la resistencia terminal integrada en el núcleo. Sabemos que las placas base que utilizan DDR SDRAM requieren muchas resistencias de terminación para evitar reflejos de señal en los extremos de la línea de datos. Esto aumenta enormemente el coste de fabricación de la placa base. De hecho, diferentes módulos de memoria tienen diferentes requisitos para los circuitos de terminación. El tamaño de la resistencia terminal determina la relación de señal y la reflectividad de la línea de datos. Si la resistencia de terminación es pequeña, la reflexión de la señal de la línea de datos será baja, pero la relación señal-ruido también será baja. Cuando la resistencia de terminación es mayor, la relación señal-ruido de la línea de datos es mayor, pero la reflexión de la señal también aumenta. Por lo tanto, la resistencia de terminación de la placa base no puede coincidir muy bien con el módulo de memoria y también afectará la calidad de la señal hasta cierto punto. DDR2 puede construir resistencias de terminación apropiadas según sus propias características para garantizar la mejor forma de onda de señal. El uso de DDR2 no solo reduce los costos de la placa base, sino que también proporciona la mejor calidad de señal, incomparable con DDR.
Post CAS: Diseñado para mejorar la eficiencia de utilización de la memoria DDR II. En la operación posterior a CAS, la señal CAS (lectura/escritura/comando) se puede insertar en el ciclo de reloj después de la señal RAS, y el comando CAS puede seguir siendo válido después del tiempo de espera adicional. El tRCD original (RAS a CAS y retraso) se reemplaza por al (retraso aditivo), que se puede configurar en 0, 1, 2, 3 y 4. Dado que la señal CAS es un ciclo de reloj posterior a la señal RAS, las señales ACT y CAS nunca entrarán en conflicto.
En general, DDR2 adopta muchas tecnologías nuevas y mejora muchas deficiencias de DDR.
Aunque actualmente existen muchas deficiencias, como el alto costo y el bajo rendimiento, creo que con la mejora continua y la mejora de la tecnología, estos problemas eventualmente se resolverán.
DDR SDRAM es la abreviatura de Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. Es un estándar de memoria propuesto por VIA y otras empresas para competir con RDRAM. DDR SDRAM es un producto actualizado de SDRAM, que utiliza un voltaje de funcionamiento de 2,5 V, lo que permite que los datos se transmitan en los flancos ascendentes y descendentes del pulso del reloj, de modo que la velocidad de la SDRAM se pueda duplicar sin aumentar la frecuencia del reloj, transferencia velocidad y ancho de banda de memoria. Por ejemplo, en comparación con la PC 133 SDRAM, la frecuencia de funcionamiento también es de 133MHz, pero el ancho de banda de la memoria alcanza los 2,12 GB/s, que es el doble que la PC 133 SDRAM. Actualmente, los conjuntos de chips convencionales admiten DDR SDRAM, que es el tipo de memoria más utilizado.
Memoria DDR2
ECC no es un tipo de memoria. ECC (Codificación de corrección de errores o detección y corrección de errores) es una memoria con función de corrección automática de errores. Ahora se admite el chipset 82430HX de Intel. Las placas base que utilizan este conjunto de chips pueden instalar y utilizar memoria ECC. Sin embargo, debido al alto costo de la memoria ECC, se utiliza principalmente en computadoras comerciales que requieren una alta confiabilidad de operación del sistema, como servidores/estaciones de trabajo. De hecho, los errores de memoria no ocurren con frecuencia y las placas base comunes no admiten la memoria ECC, por lo que las computadoras domésticas y de oficina comunes no necesitan usar memoria ECC.