¿Qué es el detector de RAYOS X?
RAYOS X Ensayos no destructivos Rayos X (en adelante, La energía cinética se libera en forma de rayos X, que tiene una longitud de onda muy corta pero una alta radiación electromagnética. Para lugares donde la muestra no se puede inspeccionar visualmente, el cambio en la intensidad de la luz de los rayos X después de penetrar materiales de diferentes densidades se utiliza para registrar el efecto de contraste producido al formar una imagen para mostrar la estructura interna del objeto a probar, que Luego se puede detectar en cualquier momento. Observe las áreas problemáticas dentro del objeto bajo prueba mientras lo destruye. \x0d\\x0d\Elementos de prueba:\x0d\1. Inspección de defectos en el embalaje de circuitos integrados, como inspección de pelado, grietas, cavidades y integridad del cableado. \x0d\2. Defectos que pueden ocurrir durante el proceso de fabricación de la placa de circuito impreso, como alineación deficiente o puentes y circuitos abiertos. \x0d\3.Detección y medición (medición) del fenómeno de la cavidad de la junta de soldadura SMT. \x0d\4. Inspección de defectos de circuitos abiertos, cortocircuitos o conexiones anormales que puedan ocurrir en varias líneas de conexión. \x0d\5. Inspección de integridad de bolas de soldadura en empaques de matriz de bolas de soldadura y empaques de chip sobre chip. \x0d\6. Inspección de explosiones plásticas o cavidades metálicas en materiales plásticos de alta densidad. \x0d\7. Medición del tamaño del chip (medición dimensional), medición del arco del cable, medición de la relación del área de soldadura del componente. \x0d\\x0d\Estándares:\x0d\1) IPC-A-610D(E) Aceptabilidad de componentes electrónicos. \x0d\2) MIL-STD883G-2006 Métodos y procedimientos de prueba de dispositivos microelectrónicos\x0d\3) GJB548B-2005 Métodos y procedimientos de prueba de dispositivos microelectrónicos\x0d\4) GJB4027A-2006 Método de análisis físico de destrucción de componentes electrónicos militares\x0d \5) GJB128A-1997 Método de prueba de dispositivo discreto semiconductor