¿Qué son DDR y SDRAM? y su significado
La memoria también es un accesorio importante en el sistema informático. Su cantidad y calidad afectan directamente el rendimiento y la estabilidad de todo el sistema. Hoy les presentaré algunos parámetros principales sobre la memoria, con la esperanza de ayudarlos a la hora de comprar y utilizar memoria.
Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono (SDRAM): es un tipo de memoria muy utilizado en las especificaciones actuales PC 100 y PC 133. Actualmente, su ancho de banda es de 64 bits, el voltaje es de 3,3 V y la velocidad máxima del producto puede alcanzar los 5 ns. Utiliza la misma frecuencia de reloj que la CPU para el intercambio de datos y la frecuencia operativa está sincronizada con la frecuencia externa de la CPU, por lo que no hay demoras ni tiempos de espera.
SDRAM de doble velocidad de datos (DDR SDRAM): DDR para abreviar, debido a que los datos se pueden transmitir en los bordes superior e inferior del disparador del reloj, el ancho de banda puede alcanzar 2,128 GB/s incluso en una frecuencia de bus. de 133MHz. DDR no admite LVTTL con voltaje de 3,3 V, pero admite el estándar SSTL2 con 2,5 V. El costo de fabricación del sistema de producción SDRAM existente es ligeramente mayor que el de SDRAM, pero aún es mucho menor que el de Rambus. el equipo para fabricar SDRAM ordinaria sólo requiere un poco de esfuerzo. Se pueden realizar mejoras para producir memoria DDR sin problemas de patentes, por lo que representa una dirección de desarrollo de memoria que puede competir con Rambus en el futuro.
Direct Rambus DRAM (DRDRAM) es la dirección de desarrollo de memoria futura defendida por Intel. Incorpora RISC (conjunto de instrucciones reducido), confiando en una alta frecuencia de reloj para simplificar la cantidad de datos por ciclo de reloj. La frecuencia de funcionamiento es superior a la de la SDRAM (no menos de 300 MHz), pero el ancho de banda de la interfaz del canal de datos es bajo, sólo 16 bits. Cuando el reloj de trabajo es de 300 MHz, Rambus utiliza los bordes superior e inferior del reloj para transmitir datos, por lo que su velocidad de transmisión de datos puede alcanzar 300 × 16 × 2/8 = 1,2 gb/. La diferencia entre esta y la DRAM tradicional es que la definición de pin cambia con el comando. El mismo conjunto de líneas de pin se puede definir como líneas de dirección y líneas de control. Su número de pines es sólo un tercio del de la DRAM normal.
La memoria de canal virtual (VCM) es un estándar de memoria compatible con la mayoría de los conjuntos de chips de placas base más recientes. VCM es un nuevo tipo de "DRAM de búfer" desarrollado por NEC Corporation, y la SDRAM de gran capacidad utilizará esta tecnología. Integra un llamado "búfer de canal" configurado y controlado por registros de alta velocidad. Si bien VCM logra una transmisión de datos de alta velocidad, también mantiene una alta compatibilidad con la SDRAM tradicional, por lo que la memoria VCM a menudo se denomina VCM SDRAM. La diferencia entre VCM y SDRAM es que los datos se pueden enviar a VCM para su procesamiento independientemente de si son procesados por la CPU, mientras que la SDRAM ordinaria solo puede procesar datos procesados por la CPU. Es por eso que VCM procesa datos más de un 20% más rápido que. SDRAM.
CL (Latencia CAS): Es el tiempo de retardo de CAS, el tiempo de respuesta del pulso de direccionamiento vertical, y también es uno de los indicadores importantes para medir la memoria que admite diferentes especificaciones a una determinada frecuencia. Por ejemplo, la mayoría de las SDRAM actuales (cuando la frecuencia externa es de 100 MHz) pueden funcionar en modo Latencia CAS = 2 o 3, es decir, el tiempo de retardo para la lectura de datos puede ser de 2 ciclos de reloj o 3 ciclos de reloj.
TCK (TCLK): se refiere al ciclo de reloj del sistema, que representa la frecuencia máxima a la que la SDRAM puede operar. Cuanto menor sea el número, mayor será la frecuencia a la que puede funcionar el chip SDRAM. Para una PC normal con 100 SDRAM, el logotipo "-10" en el chip significa que su ciclo de reloj operativo es de 10 ns, lo que significa que puede funcionar normalmente a una frecuencia externa de 100 MHz.
TAC (Tiempo de Acceso desde CLK): Es el número máximo de relojes de entrada con máxima latencia CAS. La especificación PC 100 requiere que TAC no sea superior a 6 ns cuando CL = 3. Algunos números en el número de memoria representan este valor. Actualmente, el tiempo de acceso de la mayoría de los chips SDRAM es de 5, 6, 7, 8 o 10 ns.
Para la memoria PC 100, cuando CL=3, el valor de tCK debe ser inferior a 10 ns y el tAC debe ser inferior a 6 ns. Esta fórmula se utiliza generalmente para calcular el tiempo de retraso total: tiempo de retraso total = ciclo de reloj del sistema × número de modos CL + tiempo de acceso (tAC).
Por ejemplo, el tiempo de acceso a la memoria de la PC 100 es 6 ns. Si configuramos el número de modos CL en 2 (es decir, retraso CAS = 2), entonces el tiempo de retraso total = 10 ns × 2 + 6 ns = 26 ns. digamos, si la memoria de la PC 100 y la PC 133 solo se usa en un bus de 66 MHz o 100 MHz, el valor del retardo CAS debe establecerse en 2, es decir