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¿Qué tal Yitaixiang Jade en el aeropuerto?
Está bien. La joyería Yitaixiang tiene una larga historia y una joyería exquisita. Es una joyería con gran valor cultural y sentido artístico.
Se puede comprar. Las tiendas Yitaixiang abiertas en el aeropuerto están protegidas por las leyes nacionales y son tiendas regulares con garantía de calidad, por lo que se pueden comprar tiendas Yitaixiang en el aeropuerto. Yitaixiang es una marca de jade relativamente establecida en Yunnan, fundada en 2002.
En Tengchong y Ruili de Yunnan, están cerca de la frontera con Myanmar, por lo que el jade allí es de buena calidad y bajo precio. Sólo hay que tener discernimiento. Sin embargo, cuando lo compras en una tienda de marcas famosas como Yitaixiang, puedes comprarlo con confianza. Cuando el conocimiento en esta área no es perfecto, esta elección es acertada.
En cuanto al nivel de calidad "muy bueno" marcado en el folleto, obviamente no es confiable. Lo hice yo mismo y los turistas lo confunden. El precio de mercado del jade está entre 600 y 1.000 yuanes, y el precio de venta normal no excederá los 1.000 yuanes. En Yunnan, el mercado de jade en sí es artificialmente alto y el aeropuerto es un lugar donde se venden precios altos, así que considérelo detenidamente. Piénselo dos veces antes de comprar.
上篇: ¿A qué categoría pertenece la marca registrada de Brush Stand? 下篇: ¿Qué significan silicio cristalino y silicio amorfo? ¡Ayuda a explicar! Hanyu Pinyin Introducción: Jingtigui Nombre en inglés: Silicio cristalino Descripción: Es un sólido gris-negro con brillo metálico, alto punto de fusión (1410), alta dureza, alta fragilidad y químicamente inactivo a temperatura ambiente. Silicio cristalino: el silicio elemental es un elemento no metálico relativamente activo que puede formar compuestos con 64 de los 96 elementos estables. Los principales usos del silicio dependen de sus propiedades semiconductoras. El material de silicio es actualmente el material semiconductor más importante. La producción mundial anual actual es de aproximadamente 3×106 kg. Una oblea de silicio con un diámetro de 75 mm puede integrar decenas de miles, cientos de miles o incluso millones de componentes para formar microelectrónica, lo que dio lugar a la aparición de microcomputadoras y microprocesadores. Debido al actual desarrollo de la ingeniería de la información, el silicio se utiliza principalmente en la tecnología microelectrónica. Los componentes de los dispositivos semiconductores de potencia, principalmente los tiristores de silicio, son cada vez más grandes. En comparación con los transistores de silicio, los circuitos integrados son todo lo contrario. En una oblea de silicio con un diámetro de 75 mm, sólo un componente puede soportar varios miles de amperios de corriente y varios miles de voltios de voltaje. Este tipo de componentes ha penetrado en los tres campos de la electrónica, la electricidad y el control, formando una nueva disciplina: la electrónica de potencia. Para adaptarse al desarrollo de circuitos integrados a gran escala, el silicio monocristalino se está desarrollando hacia un gran diámetro, alta pureza, alta uniformidad y sin defectos. El diámetro máximo de la oblea de silicio ha alcanzado los 150 mm y el silicio de alta pureza en el laboratorio está cerca del límite teórico de pureza. Las células solares más utilizadas actualmente son las de silicio. Si se cubre una superficie de 1 metro cuadrado con células solares de silicio, se pueden obtener 100W de potencia. Las células solares de silicio monocristalino tienen un rendimiento estable, alta eficiencia de conversión, tamaño pequeño y peso ligero, y son muy adecuadas para su uso como fuente de energía en naves espaciales. El laboratorio espacial de gran escala de los Estados Unidos está equipado con cuatro paneles solares, compuestos por 147.840 células solares de silicio monocristalino de 8 centímetros cuadrados, con una generación de energía de aproximadamente 12KW. El silicio cristalino en este párrafo incluye el silicio monocristalino y el silicio policristalino. El método de preparación de silicio cristalino consiste en utilizar carbono para reducir SiO2_2 a Si y luego purificarlo con HCl para obtener polisilicio de mayor pureza. El método de preparación de silicio monocristalino suele ser preparar primero silicio policristalino o silicio amorfo y luego utilizar el método de Czochralski o el método de fusión en zona de suspensión para hacer crecer silicio monocristalino en forma de varilla a partir de la masa fundida. Monocristal de silicio. Un cristal con una estructura reticular sustancialmente completa. Diferentes direcciones tienen diferentes propiedades, por lo que es un buen material semiconductor. El requisito de pureza es del 99,9999 %, o incluso superior al 99,9999 %. Utilizado en la fabricación de dispositivos semiconductores, células solares, etc. Se extrae del silicio policristalino de alta pureza en un horno monocristalino. Cuando el silicio elemental fundido se solidifica, los átomos de silicio se organizan en muchos núcleos en la red del diamante. Si estos núcleos crecen hasta convertirse en granos con la misma orientación del plano cristalino, estos granos se combinan en paralelo y cristalizan en silicio monocristalino. Edite las propiedades químicas y físicas de este párrafo. El silicio monocristalino tiene las propiedades físicas de un metaloide y tiene una conductividad eléctrica débil. Su conductividad aumenta con la temperatura y tiene una semiconductora significativa. El silicio monocristalino ultrapuro es un semiconductor intrínseco. Dopar trazas de elementos del Grupo III A, como el boro, en silicio monocristalino ultrapuro puede mejorar su conductividad y formar un semiconductor de silicio tipo P. Si se añade una pequeña cantidad de elementos del grupo VA, como fósforo o arsénico, también se puede mejorar la conductividad para formar un semiconductor de silicio de tipo N. El método de preparación de silicio monocristalino suele ser preparar primero silicio policristalino o silicio amorfo y luego utilizar el método de Czochralski o el método de fusión en zona de suspensión para hacer crecer silicio monocristalino en forma de varilla a partir de la masa fundida. El silicio monocristalino se utiliza principalmente para fabricar componentes semiconductores. El silicio amorfo (a-Si), también conocido como silicio amorfo, es un alótropo del silicio. El silicio cristalino suele estar dispuesto en un tetraedro regular, con cada átomo de silicio ubicado en el vértice del tetraedro regular y estrechamente unido a otros cuatro átomos de silicio mediante enlaces de valencia. Esta estructura puede extenderse muy lejos, creando una estructura de celosía estable. El silicio amorfo, por otro lado, no tiene esta estructura reticular extendida y la red reticular entre los átomos está desordenada. En otras palabras, no todos los átomos están dispuestos en una disposición tetraédrica estricta con otros átomos. Debido a esta inestabilidad, algunos átomos del silicio amorfo contienen enlaces colgantes. Estos enlaces colgantes tienen un gran impacto negativo en las propiedades del silicio como conductor. Pero estos enlaces colgantes se pueden llenar con hidrógeno, y la densidad de los enlaces colgantes en el silicio amorfo se reducirá significativamente después de la hidrogenación, lo suficiente para cumplir con los estándares de los materiales semiconductores. Desafortunadamente, la conductividad del silicio amorfo hidrogenado disminuirá significativamente cuando se expone a la luz. Este es el llamado efecto SWE. El científico estadounidense Stanford R. Ovshinsky posee muchas patentes de silicio amorfo, incluidos semiconductores y células solares. Su coste es mucho menor que el de los productos de silicio cristalino correspondientes. Además, el silicio amorfo se puede utilizar como microbolómetros en cámaras térmicas.