Los campos de investigación de Chu Huilong
Premios y honores: uno de los cuatro inventores líderes de IBM en 2007; el Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM en 2008; dos patentes ganaron el Premio de Patente Destacada de IBM; Ganó el premio IBM Invention Achievement Award 51 veces. Trabajos representativos: 1) H. Zhu et al., "Uso de la superficie superior de pulverización catódica del revestimiento de tensión dual para mejorar el rendimiento del chip de 65 nm de alto rendimiento", VLSI 2007, pp180-181 2) H. Zhu et al., "Inyección de halo inversa control "Efecto de canal corto en MOSFET" IEEE Electronic Devices, vol. 28, número 2, págs. 168-170, 2007. 3) H. Zhu, "Utilización del mecanismo de vacantes en Diamond Lattice y Si1-xGex para el modelado de difusión de impurezas" , Actas de la Sociedad Electroquímica, Volumen 2004-07, Páginas 923-934 4) H. Zhu et al., “Estructuras y métodos para mejorar la tensión en el canal de dispositivos CMOS usando puertas delgadas”, Solicitud de patente de EE. UU. No.: EE. UU. 20060160317a 15) 6) H.S. Yang y H. Zhu, "Método y aparato para aumentar los efectos de tensión en canales de transistores", Patentes de EE. UU.: US7118999 y US7462915 7) K. Lee y H. Zhu, "Para ralentizar sustratos Difusión mejorada con dopantes and Methods for Devices Fabricated Therefrom", Patente de EE. UU.: US7163867 8) B. Doris et al., "Estructuras y métodos para mejorar el rendimiento de nFET y pFET utilizando diferentes especies" Mag. Litro. 73, No. 1, (1996): 27-33. 10) H. Zhu et al., “Simulación de dinámica molecular de una cascada de 10 keV en β-NiAl”, Journal of Philosophy A 71 735-758, 1 995 Undertaken Scientific Research. Proyecto: Actualmente se desempeña como científico jefe de la "construcción de plataformas e investigación piloto de tecnología de procesos clave de 22 nm" del importante proyecto nacional de ciencia y tecnología "Equipos de fabricación y procesos completos de VLSI".