Cómo observar el tamaño de las partículas de memoria (objetos físicos), lo mejor es enumerar varios ejemplos típicos diferentes, 3KS.
Explicación del significado específico:
Por ejemplo: SAMSUNGK4H280838B-TCB0
Significado principal:
La función de bit 1 chip K representa chip de memoria.
Dígito 2: el tipo de chip 4 representa la DRAM.
El tercer dígito: descripción adicional del tipo de chip, S representa SDRAM, H representa DDR y G representa SGRAM.
El cuarto y quinto dígitos: capacidad y frecuencia de actualización. La misma cantidad de memoria utilizará diferentes frecuencias de actualización y diferentes números. 64, 62, 63, 65, 66, 67 y 6A representan una capacidad de 64 Mbit; 28, 27 y 2A representan una capacidad de 128 Mbit; 56, 55, 57 y 5A representan una capacidad de 256 Mbit;
Los bits 6 y 7: el número de pines de línea de datos, 08 representa datos de 8 bits; 32 representa datos de 32 bits;
Bit 11-conectar "-".
Bit 14 y 15: la velocidad del chip, por ejemplo, 60 es 6 ns, 70 es 7 ns, 7B es 7,5 ns (cl = 3); 80 es 8 ns, 10 es 10 ns (66 MHz).
Conociendo el significado de los principales números codificados en las partículas de memoria, es muy fácil calcular la capacidad de la tarjeta de memoria una vez obtenida. Por ejemplo, una memoria DDR de Samsung está empaquetada con 18 partículas SAMSUNGK4H280838B-TCB0. Los dígitos 4 y 5 del número de grano "28" representan que el grano es de 128 Mbits, y los dígitos 6 y 7 "08" representan que el grano tiene un ancho de banda de datos de 8 bits, por lo que podemos calcular que la capacidad del banco de memoria es de 128 Mbits. (Megabits) × 16 chips/8bits = 256MB (megabytes).
Nota: "bit" es "dígito", "b" es byte "byte", si un byte tiene 8 bits, divídalo entre 8. Con respecto al cálculo de la capacidad de la memoria, hay dos situaciones en los ejemplos dados en este artículo: una es memoria no ECC, y cada ocho partículas con un ancho de datos de 8 bits puede formar una memoria, la otra es memoria ECC, que agrega una; después de cada código de verificación ECC de 64 bits. Con la suma de comprobación se pueden detectar dos errores en los datos de la memoria y se puede corregir un error. Por lo tanto, en el proceso de cálculo de la capacidad real, el bit de paridad no se calcula y la capacidad real del banco de memoria de 18 partículas con función ECC se multiplica por 16. Al comprar, también puedes asegurarte de que los módulos de memoria con 18 o 9 chips de memoria sean memoria ECC.
Hynix (Hyundai)
"8" es la estructura del chip de memoria, lo que significa que la memoria está compuesta por 8 chips. (4=4 chips; 8=8 chips; 16=16 chips; 32=32 chips)
"2" se refiere al banco de memoria. (1=2 bancos; 2=4 bancos; 3=8 bancos)
"2" indica que el tipo de interfaz es SSTL_2. (1 = SSTL _ 3; 2 = SSTL _ 2; 3 = SSTL_18)
"B" es el código central de la tercera generación. (En blanco = 65438 generaciones + 0; A = segunda generación; B = tercera generación; C = cuarta generación)
Consumo de energía, el espacio en blanco representa normal; l representa el tipo de bajo consumo de energía, esta tarjeta de memoria El consumo de energía El código está vacío, por lo que es un tipo normal.
El tipo de embalaje está representado por "t", que es el embalaje TSOP. (T = TSOP; q = LOFP; f = FBGA; FC=FBGA)
Pila de paquetes, en blanco = normal; s = Hynix; M &t; J = otro; ; MU = MCP (UTC), la memoria anterior está en blanco, lo que representa una pila de paquetes común.
Materias primas de embalaje, en blanco = ordinarias; P = plomo; H = halógeno; R = plomo + halógeno. La memoria está hecha de materiales de embalaje comunes.
"D43" significa que la velocidad de la memoria es DDR400. (D43=DDR400, 3-3-3; D4=DDR400, 3-4-4; J = DDR333M=DDR333, 2-2-2; K = DDR266AH = DDR266BL=DDR200)
Temperatura de funcionamiento Generalmente omitido. I=Temperatura normal industrial (-40 ~ 85 grados); E=Temperatura de expansión (-25 ~ 85 grados)
El significado de la memoria moderna:
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1 y HY representan productos modernos.
2. Tipo de chip de memoria: (57=SDRAM, 5D = DDR SDRAM);
3. Tecnología de procesamiento y voltaje de trabajo: (En blanco = 5vVDD = 3.3V y amp. ; VDDQ = 2,5 VVDD = 2,5 V y VDDQ = 2,5 V VDD = 2,5 V y VDDQ = 1,8 V; VDDQ = 1,8 V)
4. y frecuencia de actualización: 16=16Mbits, 4KRef 64: actualización de 64m4k 64=64Mbits, 8KRef65=64Mbits, 4KRef66: actualización de 64m2k, 4KRef56: 25; Actualización de 6 m8k; actualización m4k; 256 = 256 Mbits, 16 kref; 257 = 256 Mbits, 8KRef12: actualización de 512 M8k; 1g: actualización de 1g 8k
5. Representa el ancho de bits de datos de la salida del chip: 40, 80, 16, 32. respectivamente Representa 4 bits, 8 bits, 16 bits y 32 bits.
6. Número de bancos: 1, 2 y 3 representan 2, 4 y 8 bancos respectivamente, que son potencias de 2.
7. Interfaz de E/S: 1: SSTL_3, 2: SSTL_2.
8. Versión del kernel del chip: puede estar en blanco o con letras como A, B, C, D, etc. Cuanto más atrás, más nuevo es el núcleo.
9. Representa el consumo de energía: L = chip de bajo consumo, en blanco = chip normal.
10. Forma de embalaje del chip de memoria: JC=400milSOJ, TC=400mil TSOP-II, TD=13mm TSOP-II, TG=16mm TSOP-II.
11. Velocidad de trabajo: 55:183MHZ, 5:200MHZ, 45:222MHZ, 43:233MHZ, 4:250MHZ, 33:300 MHz, L:DDR200, H:DDR266B.
Partículas de embalaje mBGA modernas
Infineon (Infineon)
Infineon es una filial de Siemens de Alemania. Actualmente, Infineon, filial de Siemens, sólo produce dos tipos de partículas de almacenamiento en el mercado nacional: partículas con una capacidad de 128 Mbits y partículas con una capacidad de 256 Mbits. Los números detallan la capacidad y el ancho de datos de su memoria. El modelo de gestión y organización de colas de memoria de Infineon es que cada partícula consta de 4 bancos de memoria. Por lo tanto, su modelo de partículas de memoria es relativamente pequeño y el más fácil de distinguir.
HYB39S128400 indica 128 MB/4 bits, "128" indica la capacidad de la partícula y los últimos tres dígitos indican el ancho de datos de la memoria. Lo mismo ocurre con otros, como: HYB39S128800, que es de 128 MB/8 bits; HYB39S128160 es de 128 MB/16 bits;
La tasa de trabajo de las partículas de memoria de Infineon se representa agregando una línea corta al final del modelo y luego etiquetando la tasa de trabajo.
-7,5-significa que la frecuencia de trabajo de la memoria es de 133 MHz;
-8-significa que la frecuencia de trabajo de la memoria es de 100 MHz.
Por ejemplo:
1 módulo de memoria Kingston está producido por 16 chips de memoria Infineon HYB39S128400-7.5. Su capacidad se calcula así: 128Mbits (megabits) × 16 chips /8 = 256MB (megabits).
1 chip de memoria Ramaxel está producido por 8 chips de memoria Infineon HYB39S128800-7.5. Su capacidad se calcula como: 128 megabits × 8 chips/8 = 128 megabits.
KTI, kti
Descripción de la memoria KINGMAX
La memoria Kingmax está toda empaquetada en TinyBGA (Tinyballgridarray). Además, el método de envasado es un producto patentado, por lo que vemos que todas las tarjetas de memoria de partículas Kingmax son producidas por la propia fábrica. Las partículas de memoria Kingmax están disponibles en capacidades de 64 Mbits y 128 Mbits. Aquí puede enumerar los modelos de granularidad de memoria para cada serie de capacidad.
Observaciones sobre capacidad:
Ksva 44t 4a0a-64mbits, espacio de direcciones de 16M × ancho de datos de 4 bits;
Ksv884t 4a0a-64mbits, espacio de direcciones de 8M × 8; bits Ancho de datos;
Ksv244t4xxx-128 mbits, espacio de direcciones de 32 M × ancho de datos de 4 bits;
Ksv684t4xxx-128 mbits, espacio de direcciones de 16 M × ancho de datos de 8 bits
Ksv864t4xxx-128 Mbits, espacio de direcciones de 8 m × ancho de datos de 16 bits.
La velocidad de trabajo de la memoria Kingmax tiene cuatro estados, separados por un símbolo de guión después del número de modelo para identificar la velocidad de trabajo de la memoria:
-7A——PC 133/CL = 2;
-7——PC 133/CL = 3;
-8A——PC 100/CL = 2;
-8—— PC100 /CL=3.
Por ejemplo, un módulo de memoria Kingmax consta de 16 bloques KSV884T4A0A-7A y su capacidad se calcula como: 64 Mbits × 16 bloques/8 = 128 MB (megabytes).
Micron (micrón)
Las reglas de codificación de la memoria de Micron se ilustran con el número MT48LC16M8A2TG-75.
Significado:
nombre del fabricante de mt-Micron.
Memoria de 48 tipos. 48 representa SDRAM; 46 representa DDR.
Tensión de alimentación LC. LC representa 3v; c representa 5v; v representa 2,5 V
16M8: la capacidad de memoria granular es de 128 Mbits y el método de cálculo es: 16 M (dirección) × ancho de datos de 8 bits.
a2-Número de versión del kernel de la memoria.
Método de embalaje TG, TG es embalaje TSOP.
-75-La velocidad de trabajo de la memoria, que es 133 MHz; -65 significa 150 MHz.
Por ejemplo: la memoria USB MicronDDR consta de 18 partículas numeradas MT46V32M4-75. La memoria admite la función ECC. Entonces cada banco de memoria tiene un número impar de partículas de memoria.
La capacidad se calcula como: capacidad 32M×4bit×16 chips/8=256MB (megabyte).
Winbond (Winbond)
Descripción del significado:
WXXXXXXXX
12345
1 y W representan la memoria Los chips son producidos por Winbond.
2. Tipos de memoria representativos: 98 es SDRAM y 94 es DDRRAM.
3. Representa el número de versión de la partícula: los números de versión comunes son B y H;
4 Representa el paquete, H es el paquete TSOP, B es el paquete BGA. y D es el paquete LQFP.
5. Frecuencia de funcionamiento: 0: 10 ns, 100 MHz; 8: 8 ns, 125 MHz; Z: 7,5 ns, 133 MHz; Y: 6,7 ns, 150 MHz; 5:5 nanosegundos, 200 MHz
Moselle (Provincia de Taiwán Mosel)
Taiwan Bay Mosel Technology es un importante fabricante de chips de memoria en la provincia de Taiwán y no hay muchos disponibles. , por lo que no estamos muy familiarizados con él. El número de esta partícula es V54C365164VDT45. Los números 6 y 7 son 65, lo que significa que una sola partícula es 64/8 = 8mb. De los números 8 y 9, el ancho de bits de una sola partícula es de 16 bits y se puede ver que la velocidad de la partícula es de 4,5 ns
Nanya, elixir, PQI, PLUSS, Atl, EUDAR
Nanya Technology es la sexta del mundo. Un gran fabricante de chips de memoria, también fue la única empresa rentable en la provincia de Taiwán el año pasado, ubicándose en el quinto lugar del mundo. El número de memoria es NT5S5V8 M16CT -7K, donde la cuarta letra "S" representa la memoria SDRAM, los dígitos sexto y séptimo 8 M representan una capacidad de partícula única de 8 M, los dígitos octavo y noveno 16 representan un ancho de partícula única de 16 bits y -7K representa Velocidad 7ns.
Cuál, Sr. Stone, Lei, Jin
M.tec (diligencia), TwinMOS (diligencia)
V-DATA (Puerto Victoria de Hong Kong ), A-DATA (Victoria Harbour, Taiwán), VT
El número de partícula de memoria es VDD8608A8A-6B H0327, que es una partícula de 6 nanosegundos con una capacidad de ***256M indica que su producción. la fecha es la semana 27 de 2003.
a data
Esta es la DDR500 de A-Data.