Indicadores de rendimiento de la memoria
Los indicadores de rendimiento de la memoria incluyen los siguientes aspectos.
1. Velocidad de almacenamiento: la velocidad de almacenamiento de la memoria se expresa por el tiempo que lleva acceder a los datos una vez. La unidad es nanosegundos, registrados como ns 1 segundo = mil millones de nanosegundos, es decir, 1 nanosegundo. = 10ˉ9 segundos. Cuanto menor sea el valor de Ns, menor será el tiempo de acceso y mayor será la velocidad.
2. Capacidad: Cuanto mayor sea la capacidad de la memoria, es menos probable que se congele, pero está limitada por la capacidad máxima que admite la placa base. Las capacidades de una sola memoria son 1GB, 2GB, 4GB, etc. Las placas base suelen proporcionar al menos dos ranuras de memoria. Si hay varias ranuras de memoria, la capacidad de memoria total de la computadora es la suma de todas las capacidades de memoria.
3. CL CL es la abreviatura de CAS Lstency, es decir, tiempo de retardo de CAS, que se refiere al tiempo de respuesta del pulso de dirección longitudinal de la memoria. Es uno de los indicadores importantes para medir diferentes especificaciones de. memoria a una determinada frecuencia.
4. Chip SPD El SPD es un chip EERROM (memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente) de 8 pines y 256 bytes. La ubicación generalmente se encuentra en el lado derecho de la parte frontal de la barra de memoria, que graba. información como la memoria información de parámetros como la velocidad, la capacidad, el voltaje, la dirección de fila y columna y el ancho de banda. Cuando se enciende, el BIOS de la computadora leerá automáticamente la información registrada en el SPD.
5. Voltaje de funcionamiento: dado que la memoria de bajo voltaje debe ser 1,5 V inferior al voltaje estándar para garantizar un funcionamiento estable, la producción de memoria de bajo voltaje requiere mayor calidad cuanto mayor sea el voltaje de la memoria en la fábrica. , menor es la calidad de la memoria. Bueno, esta es una de las ventajas de la memoria de bajo voltaje. Por lo tanto, la diferencia entre los módulos de memoria de alto y bajo voltaje es que los módulos de memoria de bajo voltaje consumen menos energía que los módulos de memoria de alto voltaje y son más ecológicos.
Información ampliada:
La estructura y principios de la memoria.
La estructura interna de la memoria es la más simple entre los chips de PC. Está compuesta por muchas "unidades" repetidas: cada celda consta de un condensador y un transistor (generalmente un MOSFET de canal N). el condensador puede almacenar 1 bit de datos y la cantidad de carga (nivel de potencial) después de la carga y descarga corresponde a los datos binarios 0 y 1 respectivamente.
Debido a que el capacitor tendrá fugas, la carga se perderá después de un período de tiempo, lo que resultará en un potencial insuficiente y pérdida de datos. Por lo tanto, la carga debe realizarse con frecuencia para mantener el potencial. Esta acción de carga se denomina actualización. , por lo que la memoria dinámica tiene características de actualización, esta operación de actualización continuará hasta que los datos cambien o se apague la alimentación.
El MOSFET es un interruptor que controla la carga y descarga del condensador. Debido a su estructura simple, la DRAM puede tener un área pequeña y una gran capacidad de almacenamiento.