ASEMI es el agente de FGH60N60SMD ¿El IGBT de ON es original?

Sí

Modelo: FGH60N60SMD

Tensión de colector a emisor (VCES): 600 V

Tensión de puerta a emisor (VGES): ± 20 V

Corriente de colector (IC): 120 A

Corriente directa máxima del diodo de pulso (IFM): 180 A

Consumo máximo de energía (PD): 600 W

Rango de temperatura de almacenamiento (TSTG): ?55 a +175 ℃

Corriente de fuga G?E (IGES): ±400 nA

SET Voltaje de saturación del electrodo al emisor (VCE (sat)): 2,5 V

Capacitancia de salida (Coes): 270 pF

Voltaje directo del diodo (VFM): 2,1 V

Tiempo de recuperación inversa del diodo (Trr ): 30NS

Características del FGH60N60SMD:

Coeficiente de temperatura positivo, fácil para operación en paralelo

Capacidad de corriente alta

Bajo voltaje de saturación: VCE (sat)=1,9 V (típ.) @IC=60 A

Alta impedancia de entrada

Conmutación rápida: EOFF=7,5 uJ/A

Parámetro estricto distribución

El dispositivo no contiene plomo y cumple con los estándares RoHS

Aplicación FGH60N60SMD:

El IGBT de segunda generación adopta la nueva tecnología IGBT de parada de campo, FGH60N60SMD ofrece Rendimiento óptimo para inversores solares, UPS, soldadores, telecomunicaciones, aplicaciones ESS y PFC donde las bajas pérdidas de conducción y conmutación son cruciales.