Acerca de Yao

Género: Mujer

Fecha de nacimiento: abril de 1947

Lugar de nacimiento: Provincia de Hebei

Título profesional: Profesor, Doctor Estudiante Tutor

Código postal: 300072

Teléfono de oficina: 27890832

Teléfono móvil: 81125362

Teléfono de casa:

Correo electrónico: syyao@tju.edu.cn

Unidad: Escuela de Ingeniería de Información Electrónica, Departamento de Tecnología Electrónica.

Dirección de investigación 1: Diseño ASIC.

Dirección de investigación 2: Sensores semiconductores y su diseño de sistemas integrados (circuitos integrados combinados con sistemas microelectromecánicos)

Dirección de investigación 3: Pruebas VLSI, diseño de testabilidad e investigación de confiabilidad en microelectrónica.

Introducción:

Graduado en la Universidad de Tianjin en 1970, de 1965 a 1970, se ha dedicado a la enseñanza y la investigación de tecnología microelectrónica. Actualmente es profesor, supervisor doctoral y director del Centro de Diseño ASIC de la Universidad de Tianjin. Al mismo tiempo, se desempeña como miembro de la Subdivisión de Tecnología de Integración y Semiconductores de la Sociedad Electrónica de China, director del Centro de Capacitación en Tecnología de Diseño de Circuitos Integrados de Tianjin y persona a cargo de la Plataforma de Incubación de Diseño de Circuitos Integrados de Tianjin. El profesor ha trabajado como supervisor de doctorado desde 1997 y 2001. De septiembre de 2002 a junio de 2003, la Junta de la Fundación Nacional de Becas lo nombró académico visitante senior en la Universidad de Texas en Austin.

He estado involucrado en la enseñanza y la investigación en microelectrónica durante mucho tiempo, capacitando a estudiantes de doctorado y maestría; asesorado a becarios postdoctorales (uno dejó la estación) y ganó la beca Motorola. Ha sido anfitrión o participado en el Octavo Plan Quinquenal Nacional, el Noveno Plan Quinquenal, el Fondo Nacional Natural y proyectos provinciales y municipales. Publicar artículos relevantes en revistas académicas nacionales y extranjeras. Se han comercializado y patentado investigaciones sobre fotodetectores de silicio.

Obras representativas:

Patentado: Silicon Photodetector 2003 ZL 0499.38+0

Semiconductor Physics and Devices (Tercera edición) Electronic Industry Press, febrero de 2005, primera impresión ISBN: 7-121-00863-7.

Artículo representativo: 1 Cálculo de simulación de la distribución de tensiones de un sensor de presión de doble isla de polisilicio. Journal of Electronic Science Volumen 27 Número 65438 +01ei:00095310277; 2 Optimización del consumo de energía de convertidores analógicos a digitales de tuberías 2004 Número 4 Revista de la Universidad de Tianjin (Edición en inglés) Vol.10 Número 4p 280-284 ei:0509 8865889; Diseño e implementación de un circuito de control de temporización para un sensor de imagen CMOS de alta velocidad de cuadros y amplio rango dinámico 2004 11 Journal of Electronics, Volumen 32, Número 65438 +0p 1922-1925 ei:05048806886 4 Simulación y prueba de un nuevo tipo de SOI de alta temperatura; sensor de presión ics ICT' 2004 Beijing ICSICT 2004 Volumen p 1824-1827 EI:05299217792; 5 Investigación y progreso de la tecnología de almacenamiento de muestreo doble a nivel de píxeles en la electrónica de estado sólido de sensores de imagen CMOS, Número 3, 2005 EI: 05469477904; Resistencia de interconexión ULSI a alta frecuencia Extracción de las características de dispersión de ondas superficiales de las propiedades mecánicas de materiales de interconexión de baja constante dieléctrica de Journal of Tianjin University (versión en inglés) vol. , 2005, Volumen 26, Número 10 Página 2032-2033 ei:05519604671; 8 Diseño e implementación de un comparador dinámico CMOS de baja potencia y alta precisión Journal of Sensing Technology 2005 Volumen 18 Número 1 EI: 05409400801 9 Conjunto de condensadores basados ​​en DPGA; en Sensor de imagen CMOS Optimization Research Journal of Sensing Technology, Volumen 18, Número 2, 2005 EI:EI 0531927 5711; 10 Desarrollo del sensor de presión de registro de campos petroleros "Journal of Sensing Technology", Volumen 17, Número 2, 2004 bajo; -colisión de puerta Investigación sobre ionización y descomposición Investigación y progreso en electrónica sólida 2004 Volumen 24 Número 1; 12 Características de temperatura del sensor de presión de alta temperatura de silicio policristalino Revista de la Universidad de Ciencia y Tecnología Electrónica de Xi'an 2002. vol. p>

13 Aplicación de TMAH en la fabricación de sensores de presión Revista de la Universidad de Ciencia y Tecnología Electrónica de China, 2000, Volumen 29, Número 6; EI: 01035574678 14 Cálculo de simulación y diseño óptimo del sensor de presión de silicio monocristalino SOI; de Sensing Technology 2003

Premios:

Ganó el Premio Motorola.

Cursos de docencia:

Cursos de pregrado: Física de semiconductores, Física de interfaz Si-SiO2, Cursos de maestría: Teoría de semiconductores, Teoría y diseño de MEMS, Introducción a las pruebas automáticas VLSI, Cursos de doctorado: Avanzado Teoría de semiconductores, MEMS y nanotecnología.

Proyectos realizados:

1 Investigación de sensores de imagen CMOS submicrónicos profundos de 10 millones de píxeles 2006-2008 Líder del proyecto de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales 2. Proyectos del Fondo de Innovación de Tianjin; : En 2006 se iniciaron la investigación e industrialización de sensores de imagen CMOS y la construcción de la plataforma de incubación de diseño de circuitos integrados de Tianjin. Líder del proyecto 3.

Chip de conversión de formato de video 2004-2006 Comisión Municipal de Ciencia y Tecnología de Tianjin 043184511 4. Investigación sobre las características de dureza de los medios nanoporosos para cableado de interconexión de circuitos integrados mediante el método de onda superficial, Fundación Nacional Juvenil de Ciencias Naturales 60406003 5. Investigación sobre nanosilicio de alta eficiencia Dispositivos de visualización de emisiones de campo de electrones fríos de puntos cuánticos, Proyecto de la Fundación de Ciencias Naturales de Tianjin 0436123165433

Proyectos completados:

Proyectos de investigación científica nacionales o provinciales completados en los últimos cinco años (desde 2001 1)

1 Investigación sobre el sensor de presión de alta estabilidad y alta temperatura Fundación Nacional de Ciencias Naturales 69876027 2001-12-31 Fundación Nacional de Ciencias Naturales Líder del proyecto 2 Investigación sobre el detector moderno fotoeléctrico semiconductor visual de alto rendimiento Proyecto clave de ciencia y tecnología de Tianjin 023107511 2003. 38+0 meses Comisión de Ciencia y Tecnología de Tianjin Líder de proyecto 3 Investigación y desarrollo de sensores de imagen CMOS de gran rango dinámico de alto rendimiento Comisión de Ciencia y Tecnología de Tianjin 033183911 Agosto de 2005 Líder de proyecto 4 Investigación de tecnología de prueba de circuitos integrados Oficina de Expertos Extranjeros de Tianjin Inteligencia Introducción Proyecto 2003 086 Oficina de Personal de Tianjin Líder del Proyecto 5 Capacitación en tecnología de diseño de circuitos integrados de Tianjin. Centro de capacitación 2003-2005 Líder del proyecto de la Comisión de Ciencia y Tecnología de Tianjin 033188411 Líder del proyecto de construcción de plataforma de verificación y diseño de capacidad de prueba de VLSI 2004-2005 Líder del proyecto de la Comisión de Ciencia y Tecnología de Tianjin 04311 7 Investigación de aplicaciones del sensor de presión SOI de alta temperatura de semiconductores Proyecto del Fondo de Ciencias Naturales de Tianjin 033600811; ; se ha comercializado la investigación y el desarrollo de nuevos dispositivos optoelectrónicos.