Características técnicas y tendencias futuras de aplicación de SDRAM, DDR y RDRAM.
Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona, memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona. Sincronización significa que la memoria necesita un reloj de sincronización, y el envío de comandos internos y la transmisión de datos se basan en él. Dinámico significa que la matriz de almacenamiento debe actualizarse constantemente para garantizar que los datos no se pierdan; la aleatoriedad significa que los datos no se almacenan en una secuencia lineal, sino que se pueden leer y escribir en direcciones especificadas libremente.
La SDRAM se ha desarrollado a lo largo de cuatro generaciones, a saber, la SDR SDRAM de primera generación, la SDRAM DDR de segunda generación, la SDRAM DDR2 de tercera generación y la SDRAM DDR3 de cuarta generación.
Memoria DDR3. Pertenece a la serie de productos de memoria SDRAM y proporciona una mayor eficiencia operativa y un voltaje más bajo que la SDRAM DDR2. Es el sucesor de DDR2 SDRAM (memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de velocidad de datos cuádruple) (aumentada a ocho veces) y también es un producto de memoria popular en la actualidad. Para ahorrar energía y mejorar la eficiencia de la transmisión, DDR3 SDRAM utiliza la interfaz SSTL 15 I/O, el voltaje de E/S de trabajo es de 1,5 V y está empaquetado en CSP y FBGA. Además de continuar con los métodos de control ODT, OCD, PASR y AL de DDR2 SDRAM, también agrega CWD, reset y ZQ más avanzados. CWD se utiliza para el retraso de escritura, Reset proporciona el comando de función de súper ahorro de energía, que puede detener el funcionamiento del circuito granular de la memoria DDR3 SDRAM e ingresar al modo de espera de súper ahorro de energía. ZQ es una nueva función de calibración de resistencia del terminal. Agregar este pin de línea proporciona ODCE (motor de calibración en chip) para calibrar la resistencia de interrupción interna de ODT (terminal en chip) y agrega la función de reloj de memoria controlada por temperatura programable SRT (temperatura de actualización automática). Con la incorporación de SRT, las partículas de almacenamiento se han optimizado en términos de temperatura, reloj y gestión de energía. Se puede decir que la función de administración de energía se implementa en la memoria, lo que mejora en gran medida la estabilidad de las partículas de memoria y garantiza que las partículas de memoria no se quemen debido a un reloj de trabajo alto. Al mismo tiempo, DDR3 SDRAM también agrega la función de actualización parcial del banco de memoria PASR (Partial Array Self-Refresh), que se puede decir que lee y escribe datos de manera más efectiva en todo el banco de memoria para lograr efectos de ahorro de energía.
2.
Memoria de acceso aleatorio dinámica sincrónica de doble velocidad de datos. Estrictamente hablando, DDR debería llamarse DDR SDRAM, y la gente está acostumbrada a llamarlo DDR. Entre ellos, SDRAM es la abreviatura de memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona, es decir, memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona. DDR SDRAM es la abreviatura de Double Data Rate SDRAM, que significa memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona de doble velocidad. La memoria DDR se desarrolla sobre la base de la memoria SDRAM y todavía utiliza el sistema de producción SDRAM. Por lo tanto, los fabricantes de memorias solo necesitan mejorar ligeramente el equipo para fabricar SDRAM ordinaria para producir memoria DDR, lo que puede reducir costos de manera efectiva.
En comparación con SDRAM, DDR utiliza un circuito de sincronización más avanzado, de modo que los pasos principales para especificar la dirección y la salida de transmisión de datos se ejecutan de forma independiente y completamente sincronizados con la CPU. DDR utiliza tecnología DLL (bucle de retardo bloqueado); . El controlador de memoria puede usar esta señal de filtro de datos para identificar los datos cuando son válidos, generarlos cada 16 veces y resincronizar los datos de diferentes módulos de memoria. DDR puede duplicar la velocidad de SDRAM sin aumentar la frecuencia del reloj. Permite leer datos tanto en el flanco ascendente como en el descendente del pulso del reloj, lo que lo hace dos veces más rápido que la SDRAM estándar. No hay mucha diferencia en apariencia y tamaño entre DDR y SDRAM. Tienen las mismas dimensiones y la misma distancia entre pasadores. Pero DDR tiene 184 pines, 16 más que SDRAM, que incluyen principalmente nuevas señales como control, reloj, alimentación y tierra. La memoria DDR utiliza el estándar SSTL2 que admite un voltaje de 2,5 V, en lugar del estándar LVTTL que admite un voltaje de 3,3 V utilizado por la SDRAM.
Esto también se abrevia como DDR, pero parece no tener nada que ver con lo que preguntaste.
El enrutamiento de marcación bajo demanda (DDR) proporciona conectividad a Internet utilizando la red telefónica pública. En términos generales, la mayoría de las WAN están conectadas mediante líneas dedicadas. El enrutador se conecta a un dispositivo DCE, como un módem o ISDNTAS. Admiten el protocolo síncrono V.25BITS. Puede configurar cadenas de marcación mediante scripts y comandos del marcador.
3.
RDRAM (RAMBUS DRAM) es una memoria desarrollada por la empresa americana RAMBUS. A diferencia de DDR y SDRAM, utiliza transmisión de datos en serie. Cuando se lanzó, debido a que el método de transmisión de la memoria se cambió por completo, no se podía garantizar que fuera compatible con el proceso de fabricación original. Además, los fabricantes de memorias tuvieron que pagar una cierta tarifa de patente en Ghana para producir RDRAM junto con su propia fabricación. costos, RDRAM fue Desde el momento en que salió, los usuarios comunes no pudieron aceptar su alto precio. Al mismo tiempo, DDR se está convirtiendo gradualmente en algo común gracias a su bajo precio y buen rendimiento. Aunque RDRAM recibió un fuerte apoyo de Intel, nunca se generalizó.
El ancho de bits de almacenamiento de datos de RDRAM es de 16 bits, que es mucho menor que los 64 bits de DDR y SDRAM. Pero en términos de frecuencia, es mucho más alta que las dos y puede alcanzar los 400 MHz o incluso más. De manera similar, los datos se transmiten dos veces en un ciclo de reloj y los datos se pueden transmitir una vez en los períodos de subida y bajada del reloj. El ancho de banda de la memoria puede alcanzar 1,6 Gbytes/s. La información en el búfer de fila DRAM normal no se retendrá después. se vuelve a escribir en la memoria, y RDRAM tiene la característica de continuar reteniendo esta información, por lo que al acceder a la memoria, si hay datos de destino en el búfer de fila, se pueden usar, logrando así un acceso de alta velocidad. Además, puede recopilar datos y transmitirlos en forma de paquetes, de modo que siempre que utilice 24 relojes al principio, podrá leer 1 byte cada 1 reloj después. La longitud de los datos que se pueden leer en un acceso puede alcanzar los 256 bytes.