Cómo mejorar la tensión soportada del dispositivo CMOS de bajo voltaje VGS

El nombre completo en inglés de NMOS es: N-metal-oxide-semiconductor. Significa semiconductor de óxido metálico, y el transistor con esta estructura se llama transistor MOS. Hay transistores MOS de tipo p y transistores MOS de tipo n. Los circuitos integrados compuestos por tubos MOS se denominan circuitos integrados MOS, los circuitos compuestos por tubos NMOS se denominan circuitos integrados NMOS, los circuitos compuestos por tubos PMOS se denominan circuitos integrados PMOS y los circuitos MOS complementarios compuestos por tubos NMOS y PMOS se denominan circuitos CMOS.

PMOS se refiere al sustrato de tipo N y al transistor MOS de canal P, que transporta corriente a través del flujo de orificios.

Alias: MOS positivo

Los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOS) se pueden dividir en dos categorías: canal N y canal P. El transistor de efecto de campo MOS de silicio de canal P tiene dos regiones P+ en el sustrato de silicio de tipo N, llamadas fuente y drenaje respectivamente. No hay conducción eléctrica entre los dos electrodos. Cuando se aplica un voltaje positivo suficiente a la fuente (la puerta está conectada a tierra), la superficie de silicio tipo N debajo de la puerta presenta una capa de inversión tipo P, convirtiéndose en un canal que conecta la fuente y el drenaje. Cambiar el voltaje de la puerta cambia la densidad de electrones en el canal, cambiando así la resistencia del canal. Este tipo de transistor de efecto de campo MOS se denomina transistor de efecto de campo de tipo mejora de canal P. Si no hay voltaje de puerta en la superficie del sustrato de silicio tipo N, existirá el canal de la capa de inversión tipo P. Con un voltaje de polarización apropiado, la resistencia del canal se puede aumentar o disminuir. Este tipo de transistor de efecto de campo MOS se denomina transistor de efecto de campo de tipo agotamiento del canal P. Llamados colectivamente transistores PMOS. La movilidad de los orificios de los transistores MOS de canal P es baja, por lo que cuando el tamaño geométrico del transistor MOS y el valor absoluto del voltaje de funcionamiento son iguales, la transconductancia del transistor PMOS es menor que la del transistor MOS de canal N. Además, el valor absoluto del voltaje umbral de los transistores MOS de canal P es generalmente más alto, lo que requiere un voltaje de funcionamiento más alto. Su tamaño de voltaje de alimentación y polaridad son duales

Página 1/39

Los circuitos lógicos de transistor-transistor polar no son compatibles. PMOS tiene una velocidad de funcionamiento baja debido a su gran oscilación lógica, su largo proceso de carga y descarga y su pequeña transconductancia. Después de la aparición de los circuitos NMOS (ver Circuitos integrados semiconductores de óxido metálico de canal N), la mayoría de ellos han sido reemplazados por circuitos NMOS. Sin embargo, debido al proceso simple y al bajo precio de los circuitos PMOS, algunos circuitos de control digital pequeños y medianos todavía utilizan la tecnología de circuitos PMOS. MOSFET tiene tres patas, generalmente G, D, S. Cuando se aplica una señal de control entre G y S, se puede cambiar el encendido y apagado entre D y S. PMOS y NMOS son completamente similares en estructura, la única diferencia es el tipo de dopaje del sustrato, la fuente y el drenaje.